靜電防范常見(jiàn)問(wèn)題及解決方案
ESD靜電防范常見(jiàn)問(wèn)題及解決方案靜電是人們非常熟悉的一種自然現象。靜電的許多功能已經(jīng)應用到軍工或民用產(chǎn)品中，如靜電除塵、靜電噴涂、靜電分離、靜電復印等。然而，靜電放電 ESD(Electro-Static Discharge)卻又成為電子產(chǎn)品和設備的一種危害，造成電子產(chǎn)品和設備的功能紊亂甚至部件損壞。
現代半導體器件的規模越來(lái)越大，工作電壓越來(lái)越低，導致了半導體器件對外界電磁騷擾敏感程度也大大提高。ESD對于電路引起的干擾、對元器件、CMOS電路及接口電路造成的破壞等問(wèn)題越來(lái)越引起人們的重視。電子設備的ESD也開(kāi)始作為電磁兼容性測試的一項重要內容寫(xiě)入國家標準和國際標準。
靜電成因及其危害
靜電是兩種介電系數不同的物質(zhì)磨擦時(shí)，正負極性的電荷分別積累在兩個(gè)特體上而形成。當兩個(gè)物體接觸時(shí)，其中一個(gè)趨從于另一個(gè)吸引電子，因而二者會(huì )形成不同的充電電位。就人體而言，衣服與皮膚之間的磨擦發(fā)生的靜電是人體帶電的主要因之一。
靜電源與其它物體接觸時(shí)，依據電荷中和的機理存在著(zhù)電荷流動(dòng)，傳送足夠的電量以抵消電壓。在高速電量的傳送過(guò)程中，將產(chǎn)生潛在的破壞電壓、電流以及電磁場(chǎng)，嚴重時(shí)將其中物體擊毀，這就是靜電放電。國家標準中定義：靜電放電是具有不同靜電電位的特體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉移(GB/T4365-1995)，一般用 ESD表示。ESD會(huì )導致電子設備嚴重損壞或操作失常。
靜電對器件造成的損壞有顯性和隱性?xún)煞N。隱性損壞在當時(shí)看不出來(lái)，但器件變得更脆弱，在過(guò)壓、高溫等條件下極易損壞。
ESD兩種主要的破壞機制是：由ESD電流產(chǎn)生熱量導致設備的熱失效;由ESD感應出過(guò)高電壓導致絕緣擊穿。兩種破壞可能在一個(gè)設備中同時(shí)發(fā)生，例如，絕緣擊穿可能激發(fā)大的電流，這又進(jìn)一步導致熱失效。
除容易造成電路損害外，靜電放電也極易對電子電路造成干擾。靜電放電對電子電路的干擾有二種方式。一種是傳導干擾，另一種是輻射干擾。
數碼產(chǎn)品的構造及其ESD問(wèn)題
現在各類(lèi)數碼產(chǎn)品的功能越來(lái)越強大，而電路板卻越來(lái)越小，集成度越來(lái)越高。并都或多或少的裝有部分接口用于人機交互，這樣就存在著(zhù)人體靜電放電的ESD問(wèn)題。一般數碼產(chǎn)品中需要進(jìn)行ESD防護的部位有：USB接口、HDMI接口、IEEE1394接口、天線(xiàn)接口、VGA接口、DVI接口、按鍵電路、SIM卡、耳機及其他各類(lèi)數據傳輸接口
ESD可能會(huì )造成產(chǎn)品工作異常、死機，甚至損壞并引發(fā)其他的安全問(wèn)題。所以在產(chǎn)品上市之前，國內或國外檢測部門(mén)都要求進(jìn)行ESD和其它浪涌沖擊的測試。其中接觸放電需要達到±8kV，空氣放電需要達到±15kV，這就對ESD的設計提出了較高的要求。
數碼產(chǎn)品中ESD問(wèn)題解決與防護3.1 產(chǎn)品的結構設計
如果將釋放的靜電看成是洪水的話(huà)，那么主要的解決方法與治水類(lèi)似，就是“堵”和“疏”。如果我們設計的產(chǎn)品有一個(gè)理想的殼體是密不透風(fēng)的，靜電也就無(wú)從而入，當然不會(huì )有靜電問(wèn)題了。但實(shí)際的殼體在合蓋處常有縫隙，而且許多還有金屬的裝飾片，所以一定要加以注意。
其一，用“堵”的方法。盡量增加殼體的厚離，即增加外殼到電路板之間的距離，或者通過(guò)一些等效方法增加殼體氣隙的距離，這樣可以避免或者大大減少ESD的能量強度。
通過(guò)結構的改進(jìn)，可以增大外殼到內部電路之間氣隙的距離從而使ESD的能量大大減弱。根據經(jīng)驗，8kV的ESD在經(jīng)過(guò)4mm的距離后能量一般衰減為零。
其二，用“疏”的方法，可以用EMI油漆噴涂在殼體的內側。EMI油漆是導電的，可以看成是一個(gè)金屬的屏蔽層，這樣可以將靜電導在殼體上;再將殼體與 PCB(Printed Circuit Board)的地連接，將靜電從地導走。這樣處理的方法除了可以防止靜電，還能有效抑制EMI的干擾。如果有足夠的空間，還可以用一個(gè)金屬屏蔽罩將其中的電路保護起來(lái)，金屬屏蔽罩再連接PCB的GND。
總之，ESD設計殼體上需要注意很多地方，首先是盡量不讓ESD進(jìn)入殼體內部，最大限度地減弱其進(jìn)入殼體的能量。對于進(jìn)入殼體內部的ESD盡量將其從GND導走，不要讓其危害電路的其它部分。殼體上的金屬裝飾物使用時(shí)一定要小心，因為很可能帶來(lái)意想不到的結果，需要特別注意。
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