五大關(guān)注點(diǎn)促進(jìn)開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展
關(guān)注點(diǎn)一：開(kāi)關(guān)電源功率密度
提高開(kāi)關(guān)電源的功率密度，使之小型化、輕量化，是人們不斷努力追求的目標。電源的高頻化是國際電力電子界研究的熱點(diǎn)之一。電源的小型化、減輕重量對便攜式電子設備(如移動(dòng)電話(huà)，數字相機等)尤為重要。使開(kāi)關(guān)電源小型化的具體辦法有：
一是高頻化。為了實(shí)現電源高功率密度，必須提高PWM變換器的工作頻率、從而減小電路中儲能元件的體積重量。
二是應用壓電變壓器。應用壓電變壓器可使高頻功率變換器實(shí)現輕、小、薄和高功率密度。壓電變壓器利用壓電陶瓷材料特有的“電壓-振動(dòng)”變換和“振動(dòng)-電壓”變換的性質(zhì)傳送能量，其等效電路如同一個(gè)串并聯(lián)諧振電路，是功率變換領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。
三是采用新型電容器。為了減小電力電子設備的體積和重量，必須設法改進(jìn)電容器的性能，提高能量密度，并研究開(kāi)發(fā)適合于電力電子及電源系統用的新型電容器，要求電容量大、等效串聯(lián)電阻ESR小、體積小等。
關(guān)注點(diǎn)二：功率半導體器件性能
1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用“超級結”(Super-Junction)結構，故又稱(chēng)超結功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾乎降低了一個(gè)數量級，仍保持開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)，是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導體電子器件。
IGBT剛出現時(shí)，電壓、電流額定值只有600V、25A。很長(cháng)一段時(shí)間內，耐壓水平限于1200V～1700V，經(jīng)過(guò)長(cháng)時(shí)間的探索研究和改進(jìn)，現在IGBT的電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A和4500V/1800A，高壓IGBT單片耐壓已達到6500V，一般IGBT的工作頻率上限為20kHz～40kHz，基于穿通(PT)型結構應用新技術(shù)制造的IGBT，可工作于150kHz(硬開(kāi)關(guān))和300kHz(軟開(kāi)關(guān))。
IGBT的技術(shù)進(jìn)展實(shí)際上是通態(tài)壓降，快速開(kāi)關(guān)和高耐壓能力三者的折中。隨著(zhù)工藝和結構形式的不同，IGBT在20年歷史發(fā)展進(jìn)程中，有以下幾種類(lèi)型：穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、軟穿通(SPT)型、溝漕型和電場(chǎng)截止(FS)型。
碳化硅Sic是功率半導體器件晶片的理想材料，其優(yōu)點(diǎn)是：禁帶寬、工作溫度高(可達600℃)、熱穩定性好、通態(tài)電阻小、導熱性能好、漏電流極小、PN結耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導體電子元器件。
可以預見(jiàn)，碳化硅將是21世紀最可能成功應用的新型功率半導體器件材料。
關(guān)注點(diǎn)三：高頻磁與同步整流技術(shù)
電源系統中應用大量磁元件，高頻磁元件的材料、結構和性能都不同于工頻磁元件，有許多問(wèn)題需要研究。對高頻磁元件所用磁性材料有如下要求：損耗小，散熱性能好，磁性能優(yōu)越。適用于兆赫級頻率的磁性材料為人們所關(guān)注，納米結晶軟磁材料也已開(kāi)發(fā)應用。
高頻化以后，為了提高開(kāi)關(guān)電源的效率，必須開(kāi)發(fā)和應用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)。它是過(guò)去幾十年國際電源界的一個(gè)研究熱點(diǎn)。
對于低電壓、大電流輸出的軟開(kāi)關(guān)變換器，進(jìn)一步提高其效率的措施是設法降低開(kāi)關(guān)的通態(tài)損耗。例如同步整流SR技術(shù)，即以功率MOS管反接作為整流用開(kāi)關(guān)二極管，代替蕭特基二極管(SBD)，可降低管壓降，從而提高電路效率。
關(guān)注點(diǎn)四：分布電源結構
分布電源系統適合于用作超高速集成電路組成的大型工作站(如圖像處理站)、大型數字電子交換系統等的電源，其優(yōu)點(diǎn)是：可實(shí)現DC/DC變換器組件模塊化;容易實(shí)現N+1功率冗余，易于擴增負載容量;可降低48V母線(xiàn)上的電流和電壓降;容易做到熱分布均勻、便于散熱設計;瞬態(tài)響應好;可在線(xiàn)更換失效模塊等。
現在分布電源系統有兩種結構類(lèi)型，一是兩級結構，另一種是三級結構。
關(guān)注點(diǎn)五：全數字化控制
電源的控制已經(jīng)由模擬控制，模數混合控制，進(jìn)入到全數字控制階段。全數字控制是一個(gè)新的發(fā)展趨勢，已經(jīng)在許多功率變換設備中得到應用。
但是過(guò)去數字控制在DC/DC變換器中用得較少。近兩年來(lái)，電源的高性能全數字控制芯片已經(jīng)開(kāi)發(fā)，費用也已降到比較合理的水平，歐美已有多家公司開(kāi)發(fā)并制造出開(kāi)關(guān)變換器的數字控制芯片及軟件。
全數字控制的優(yōu)點(diǎn)是：數字信號與混合模數信號相比可以標定更小的量，芯片價(jià)格也更低廉;對電流檢測誤差可以進(jìn)行精確的數字校正，電壓檢測也更精確;可以實(shí)現快速，靈活的控制設計。
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