電源研發(fā)中22個(gè)常見(jiàn)經(jīng)典問(wèn)題分析
問(wèn)題1：我們小功率用到最多的反激電源，為什么我們常常選擇65K或許100K（這些頻率段附近）作為開(kāi)關(guān)頻率？有哪些原因約束了？或許哪些情況下我們可以增大開(kāi)關(guān)頻率？或許減小開(kāi)關(guān)頻率？
開(kāi)關(guān)電源為什么常常選擇65K或許100K左右規劃作為開(kāi)關(guān)頻率，有的人會(huì )說(shuō)IC廠(chǎng)家都是出產(chǎn)這樣的IC，當然這也有原因。每個(gè)電源的開(kāi)關(guān)頻率會(huì )抉擇什么？
應該從這兒去考慮原因。還會(huì )有人說(shuō)頻率高了EMC不好過(guò)，一般來(lái)說(shuō)是這樣，但這不是必定，EMC與頻率有聯(lián)絡(luò )，但不是必定。想象我們的電源開(kāi)關(guān)頻率 前進(jìn)了，直接帶來(lái)的影響是什么?當然是MOS開(kāi)關(guān)損耗增大，因為單位時(shí)間開(kāi)關(guān)次數增多了。假設頻率減小了會(huì )帶來(lái)什么？開(kāi)關(guān)損耗是減小了，但是我們的儲能器 件單周期供應的能量就要增多，必定需求的變壓器磁性要更大，儲能電感要更大了。選取在65K到100K左右就是一個(gè)比較合適的閱歷折中，電源就是在折中合理化折中進(jìn)行。
假設在特別現象下，輸入電壓比較低，開(kāi)關(guān)損耗已經(jīng)很小了，不在乎這點(diǎn)開(kāi)關(guān)損耗嗎，那我們就可以前進(jìn)開(kāi)關(guān)頻率，起到減小磁性器件體積的意圖。
要害：怎樣選擇合適IC的開(kāi)關(guān)頻率？干流IC的開(kāi)關(guān)頻率為什么是大概是這么一些規劃?開(kāi)關(guān)頻率和什么有關(guān)，說(shuō)的是廣泛情況，不是想鉆牛角尖許多IC還有什么不同的頻率。更多的想發(fā)散我們思維去留心到這些問(wèn)題！
在廣泛情況下：首要想提的是開(kāi)關(guān)頻率和什么有關(guān)，怎樣去選擇合適開(kāi)關(guān)頻率，為什么干流IC以及開(kāi)關(guān)頻率是這么多，留心不是必定，是廣泛情況，讓新手區了解一般行為，當然開(kāi)關(guān)電源想怎樣做都可以，要能合理運用。
1、你是怎樣知道一般選擇65或許100KHZ，作為開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)頻率的？（調研廣泛的大廠(chǎng)家干流IC，這二個(gè)會(huì )比較多，當然也有一些在這附近，還有一些是可調的開(kāi)關(guān)頻率）
2、又是怎樣在作業(yè)中發(fā)現開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)頻率確實(shí)作業(yè)在65KHZ,或100KHZ的。（從規劃角度考量，廣泛電源運用這個(gè)規劃）
3、有兩張以上的測驗65KHZ100KHZ頻率的圖片說(shuō)明嗎？（何止二張圖片，毫無(wú)意義）
4、你是否知道開(kāi)關(guān)電源可以作業(yè)在1.5HZ（你覺(jué)得這樣談?dòng)斜匾�，作業(yè)沒(méi)有什么不可以，純熟鉆牛角尖，做技能牢記鉆牛角尖，那你能談?wù)劄槭裁磸V泛電源不作業(yè)在1.5HZ，說(shuō)這個(gè)才有意義，你做出1.5HZ的電源純屬毫無(wú)意義的工作）
提示：做技能人員牢記鉆牛角尖，我們不是校園研討派，是需求將理論與實(shí)踐現結合起來(lái)，做出來(lái)的產(chǎn)品才是有意義的產(chǎn)品！
問(wèn)題2：LLC中為什么我們常在二區規劃開(kāi)關(guān)頻率？一區和三區為什么不可以？有哪些要素約束呢？或許假設選取一區和三區作為開(kāi)關(guān)頻率會(huì )有什么結果呢？
LLC的原理是運用理性負載隨開(kāi)關(guān)頻率的增大而感抗增大，來(lái)進(jìn)行調度輸出電壓的，也就是PFM調制。并且MOS管注冊損耗ZVS比ZCS小，一區是 容性負載區，天然不可取。那么三區，開(kāi)關(guān)頻率大于諧振頻率，這個(gè)仍是理性負載區，按道理MOS完結ZVS沒(méi)有問(wèn)題，確實(shí)如此。但是我們不能疏忽副邊的輸出 二極管關(guān)斷。也就是原邊MOS管關(guān)斷時(shí)，諧振電流并沒(méi)有減小到和勵磁電流相等，完結副邊整流二極管軟關(guān)斷。這也是我們一般也不選擇三區的原因。
我們不能只按前人的閱歷去規劃，而要知道只所以這樣規劃是有其必定的道理的！
問(wèn)題3：當我們反激的占空比大于50%會(huì )帶來(lái)什么？好的方面有哪些？不好的方面有哪些？
反激的占空比大于50%意味著(zhù)什么，占空比影響哪些要素？
榜首：占空比規劃過(guò)大，首要帶來(lái)的是匝比增大，主MOS管的應力必定前進(jìn)。一般反激選取600V或650V以下的MOS管，本錢(qián)考慮。占空比過(guò)大必定接受不起。
第二：很重要的是許多人知道，需求斜坡補償，否則環(huán)路震動(dòng)。不過(guò)這也是有條件的，右平面零點(diǎn)的發(fā)作需求作業(yè)在CCM方法下，假設規劃在DCM方法 下也就不存在這一問(wèn)題了。這也是小功率為什么規劃在DCM方法下的其間一個(gè)原因。當然我們規劃滿(mǎn)意好的環(huán)路補償也能戰勝這一問(wèn)題。
當然在特別現象下也需求將占空比規劃在大于50%，單位周期內傳遞的能量增加，可以減小開(kāi)關(guān)頻率，抵達提高功率的意圖，假設反激為了功率做高，可以考慮這一方法。
問(wèn)題4：反激電源假設要做到必定的功率，需求從哪些方面著(zhù)手？準諧振？同步整流？
反激的一大下風(fēng)就是功率問(wèn)題，改善功率有哪些途徑可以考慮的呢?減小損耗是必定的，損耗的點(diǎn)有開(kāi)關(guān)管，變壓器，輸出整流管，這是首要的三個(gè)部分。
開(kāi)關(guān)管我們知道反激首要是PWM調制的硬開(kāi)關(guān)居多，開(kāi)關(guān)損耗是我們的一大難點(diǎn)，好在軟開(kāi)關(guān)的出現看到了希望。反激無(wú)法向LLC那樣做到全諧振，那只 能朝準諧振去開(kāi)展(部分時(shí)間段諧振)，這樣的IC也有許多問(wèn)世，我司用的較多是NCP1207，通過(guò)在MOS管關(guān)斷后，下一次注冊前1腳檢測VCC電壓過(guò)零后，然后在一個(gè)設定時(shí)間后注冊下一周期。
變壓器的損耗怎樣做到最小，完美運用的變壓器后邊問(wèn)題會(huì )觸及到。
同步整流一般在輸出大電流情況下，副邊整流流二極管，哪怕用肖特基損耗仍然會(huì )很大，這時(shí)分選用同步整流MOS代替肖特基二極管。有些人會(huì )說(shuō)這樣本錢(qián)高不如用LLC，或許正激呢，當然沒(méi)有最好的，只需更合適的。
問(wèn)題5：電源的傳導是怎樣構成的？傳導的途徑有哪些？常用的手法？電源的輻射受哪些東西影響？怎樣做大功率的EMC？
電源傳導丈量方法是通過(guò)接收輸入端口L,N,PE來(lái)自電源內部的高頻煩擾(一般150K到30M)。
處理傳導有必要弄清楚通過(guò)哪些途徑削弱端口接收到的煩擾。
一般有二種方法：L,N差模成分，以及通過(guò)PE地回路的共模成分。有些頻率是差共模均有。
通過(guò)濾波的方法：一般選用二級共模分配Y電容來(lái)濾去，選擇的方法技巧也很重要，布板影響也很大。一般挨近端口放置低U電感，最好是鎳鋅質(zhì)料，專(zhuān)門(mén)針 對高頻，繞線(xiàn)方法選用雙線(xiàn)并繞，削減差模成分。后級一般放置感量較大，在4MH到10MH附近，只是閱歷值，詳細需求與Y電容分配。X電容濾差模也需求挨近端口，一般放在二級共模中間。放置Y電容，電容布板時(shí)走線(xiàn)需求加粗，不可外掛，否則效果很差。（這些只是輸入濾波網(wǎng)絡(luò )上做文章）
當然也可以從源頭上下手，傳導是輻射耦合到線(xiàn)路中的成果，削弱了開(kāi)關(guān)輻射也能對傳導帶來(lái)長(cháng)處。影響輻射的幾處一般有MOS管注冊速度，整流管導通關(guān)斷，變壓器，以及PFC電感等等。這些電路上的規劃需求與其他方面折中不做臚陳。
一些閱歷技巧：針對大功率的EMC一般需求增加屏蔽，馬到成功，屏蔽的部位一般有幾處選擇：
榜首：輸入EMI電路與開(kāi)關(guān)管間屏蔽，這對EMC有很大的效果，許多靠濾波器無(wú)效的選用該方法一般很有效果。
第二：變壓器初次級屏蔽，一般規劃變壓器若有空間最好加上屏蔽。
第三：散熱器的方位能很好充當屏蔽，合理布板運用，散熱器接地選擇也很重要。
第四：判別輻射源頭方位，一般有幾個(gè)簡(jiǎn)單的方法，不用定完全準確，可以參看，輸入線(xiàn)套磁環(huán)若對EMC有長(cháng)處，一般是原邊MOS管，輸出線(xiàn)套磁環(huán)若對EMC有效果，一般是副邊輸出整流管，特別是大于100M的高頻�？梢钥紤]在輸出加電容或許共模電感。
當然還有許多其他的細節技巧，特別是布板環(huán)路方面的，后邊對LAYOUT會(huì )單獨解說(shuō)。
問(wèn)題6： 我們選擇拓撲時(shí)需求考慮哪些方面的要素？各種拓撲運用環(huán)境及優(yōu)缺點(diǎn)？
規劃電源的榜首步不知道我們會(huì )想到什么呢?我是這么想，詳盡研討客戶(hù)的技能方針要求，轉換為電源的標準書(shū)，與客戶(hù)交流方針，不同的方針意味著(zhù)規劃難度和本錢(qián)，也是對我提出的問(wèn)題有很大的影響，選擇拓撲時(shí)根據我們的電源方針結合成原本考慮的，哪常用的幾種拓撲特征在哪呢 ?
這兒首要談隔絕式，非隔絕式應用有限，當然也是本錢(qián)最低的。
反激：適用在小于150W，理論這么說(shuō)，實(shí)踐大于75W就很少用，不談很特別的情況。反激的有點(diǎn)本錢(qián)低，調試簡(jiǎn)單(相關(guān)于半橋，全橋)，首要是 磁芯單向勵磁，功率由局限性，功率也不高，首要是硬開(kāi)關(guān)，漏感大等等原因。全電壓規劃(85V-264V)功率一般在80%以下，單電壓抵達80%很簡(jiǎn)單。
正激：功率適中，可做中小功率，功率一般在200W以下，當然可以做很大功率，只是不常常這么做，原因是正激和反激相同單向勵磁，做大功率磁芯體積要求大，當然選用2個(gè)變壓器串并聯(lián)的也有，留心只談一般現象，不誤導新人。正激有點(diǎn)，本錢(qián)適中，當然比反激高，長(cháng)處功率比反激高，特別選用有源箝位做 原邊吸收，將漏感能量重新運用。
半橋：現在比較火的是LLC諧振半橋，中小功率，大功率通吃型。(一般大于100W小于3KW)。特征本錢(qián)比反激正激高，因為多用了1個(gè)MOS管 (雙向勵磁)和1個(gè)整流管，控制IC也貴，環(huán)路規劃業(yè)凌亂(一般選用運放，特別還要做電流環(huán))。長(cháng)處:選用軟開(kāi)關(guān)，EMC好，功率極高，比正激高，我做過(guò) 960W LLC,功率可達96%以上(全電壓)(當然PFC是選用無(wú)橋方法)。其它半橋我不引薦，至少我不會(huì )去用，比較老的不對稱(chēng)橋，很難做到軟開(kāi)關(guān)，LLC老練從前用的多，現在很少用，至少艾默生等大公司都傾向于LLC，跟著(zhù)干流走一般都不會(huì )錯。
全橋：一般用在大于2KW以上，首推移相全橋，特征，雙向勵磁，MOS管應力小，比LLC應力小一半，大功率特別輸入電壓較高時(shí)，一般用移相全橋， 輸入電壓低用LLC。本錢(qián)特別高，比LLC還多用2個(gè)MOS。這還不是首要的，首要是驅動(dòng)凌亂，一般的IC驅動(dòng)能力都達不到，要將驅動(dòng)擴大，選用隔絕變壓器驅動(dòng)，這兒才是本錢(qián)高的另一方面。
推挽：應用在大功率，特別是輸入電壓低的大功率場(chǎng)合，特征電壓應力高，當然電流應力小，大功率用全橋仍是推挽一般看輸入電壓。變壓器多一個(gè)繞組，管子應力要求高，當然常提到的磁偏磁也需求戰勝。這個(gè)我真沒(méi)用過(guò)，沒(méi)觸及電力電源，很難用到它的時(shí)分。
問(wèn)題7：考慮電源本錢(qián)時(shí)，我們要從哪里下手呢？
規劃電源，本錢(qián)點(diǎn)評必不可少，現在客戶(hù)將電源的本錢(qián)壓得很低，各大競爭對手無(wú)不都在打價(jià)格戰，我們都能做出電源來(lái)，就看誰(shuí)做得更廉價(jià)，才干贏(yíng)得訂單，從哪些方面下手有利于我們本錢(qián)呢：
榜首：技能方針。電源技能方針越高，本錢(qián)越高，假設你的電源本錢(qián)高了，那你可以打你的功用方針賣(mài)點(diǎn)，多了功用要求，電路增多了本錢(qián)天然高。也是和客戶(hù)談話(huà)的本錢(qián)。
第二：物料收買(mǎi)本錢(qián)，為什么大公司電源獲利高？無(wú)非是他們有著(zhù)優(yōu)越的收買(mǎi)途徑，收買(mǎi)量大，物料本錢(qián)低，當然本錢(qián)更低。假設不考慮收買(mǎi)，作為工程師必 須弄清楚不同物料對應的本錢(qián)，比如能用貼片，少用插件，(比如插件電阻比貼片本錢(qián)高)，能用國產(chǎn)，不用臺資，能用臺資不用日系，這兒的價(jià)格差異不菲。(比 如日系電容比國產(chǎn)電容價(jià)格高幾倍不止！當然質(zhì)量也有差異)
第三：影響本錢(qián)的重要器件：變壓器，電感，MOS管，電容，光耦，二極管及其他半導體器件，IC等。 不同的變壓器廠(chǎng)家繞出來(lái)的變壓器價(jià)格差異很大，MOS管應力，熱阻選擇夠用就行，IC方案的本錢(qián)等。
其它方面導致本錢(qián)問(wèn)題：器件散熱器，大小合適，多了就是浪費錢(qián)。PCB布板，能用單面板用成雙面板就是浪費錢(qián)，PCB布板工藝，選擇合理的工藝加工本錢(qián)低，出產(chǎn)功率高。
問(wèn)題8：電源的環(huán)路規劃，電源哪些部分影響電源的環(huán)路?好的環(huán)路有哪些方針抉擇？
電源的環(huán)路規劃一直是一個(gè)難點(diǎn)，為什么這么說(shuō)，因為首要影響的要素太多，理論核算很難做到準確，仿真也是根據理想化模型，在這兒只談關(guān)于環(huán)路規劃的一些影響要素，從定性的角度去了解環(huán)路以及怎樣去做環(huán)路補償。
環(huán)路是根據輸入輸出不堅定時(shí)，需求通過(guò)反響，環(huán)路相應奉告控制IC去調度，維持輸出的安穩。電源環(huán)路一般都是串聯(lián)負反響，有的是電壓串聯(lián)負反響(CC方法下)，有的是電流串聯(lián)負反響(CV方法下)。
那有哪些地方會(huì )影響環(huán)路呢？電路中的零點(diǎn)以及極點(diǎn)。零點(diǎn)一般會(huì )導致增益上升，引起90度相移(右半平面零點(diǎn)會(huì )引起-90度相移)。極點(diǎn)一般會(huì )導致增益下降，引起-90度相移，左半平面極點(diǎn)會(huì )引起系統震動(dòng)。所以我們需求憑仗零點(diǎn)極點(diǎn)補償手法去合理調控我們的環(huán)路。關(guān)于低頻部分，為了滿(mǎn)意滿(mǎn)意增益一般引進(jìn)零點(diǎn)補償，關(guān)于高頻煩擾一般引進(jìn)極點(diǎn)補償去抵消，削減高頻煩擾。
環(huán)路安穩的原則是：
1.在穿越頻率處(即增益為零dB時(shí)的頻率)，系統的相位余量大于45度。
2.在相位抵達-180度時(shí)增益的余量大于-12dB.3.防止過(guò)快的進(jìn)入穿越頻率，在進(jìn)入穿越頻率附近的曲線(xiàn)斜率為-1。
針對一般反激電路：
1.發(fā)作零點(diǎn)的有輸出濾波電容 ：可以使環(huán)路增益上升。（一般在中頻4K左右，對增益有長(cháng)處，無(wú)需補償）
2.若作業(yè)在CCM方法下還會(huì )發(fā)作右半平面零點(diǎn)。在高頻段，可選用極點(diǎn)補償。這個(gè)一般很難補償，盡量防止，讓穿越頻率小于右半平面零點(diǎn)頻率（15K 左右，隨負載改變會(huì )改變）選取。
3.負載會(huì )發(fā)作低頻極點(diǎn)。選用低頻零點(diǎn)去補償。
4.LC濾波器會(huì )發(fā)作低頻極點(diǎn)，需求選用零點(diǎn)補償。在心中要清楚哪些零極點(diǎn) 是利是弊，針對性補償。
補償的電路，針對電源環(huán)路來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單，一般選用對運放選用2型補償，也有的會(huì )選用3型補償很少用。
問(wèn)題9：對各種拓撲的軟開(kāi)關(guān)方法有哪些？軟開(kāi)關(guān)是怎樣完結的？
軟開(kāi)關(guān)現在運用很一再，一來(lái)可以提高次功率，二來(lái)可以利于EMC。許多拓撲都開(kāi)始運用軟開(kāi)關(guān)了，就連反激假設為了做高功率也引進(jìn)了準諧振來(lái)完結軟開(kāi)關(guān)，這個(gè)在前面問(wèn)題已講過(guò)。LLC的軟開(kāi)關(guān)在前面問(wèn)題也提過(guò)完結條件，詳細完結進(jìn)程沒(méi)有細講。這兒就共享下我對軟開(kāi)關(guān)的了解。
完結條件及進(jìn)程：運用軟開(kāi)關(guān)需求二個(gè)元素，一個(gè)是C一個(gè)是L來(lái)完結諧振（當然也可以多諧振方法），諧振會(huì )發(fā)作正弦波，正弦波就能完結過(guò)零。假設是串聯(lián)諧振歸于電壓諧振，并聯(lián)諧振歸于電流諧振。
其次軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)的差異是：硬開(kāi)關(guān)進(jìn)程中電壓電流有堆疊，軟開(kāi)關(guān)要么電流為零(ZCS)要么電壓為零(ZVS)。MOS管的軟開(kāi)關(guān)可以運用結電容 或許并電容，然后串電感完結串聯(lián)ZVS，例如準諧振反激，有源箝位吸收電路，移向全橋的軟開(kāi)關(guān)。也有LC并聯(lián)ZCS，不過(guò)用的很少，因為MOS管ZVS的 損耗小于ZCS。LLC歸于串并聯(lián)式，不過(guò)我們運用的是ZVS區。（在死區的時(shí)分諧振電流過(guò)零，上管軟注冊前，先給下管結電容充電，上管完結軟注冊）
問(wèn)題10：什么樣的變壓器才算是最完美適用的？變壓器抉擇了什么，影響了什么？
規劃變壓器是各種拓撲的中心點(diǎn)之一，變壓器規劃的好壞，影響電源的方方面面，有的無(wú)法作業(yè)，有的功率不高，有的EMC難做，有的溫升高，有的極限情況會(huì )豐滿(mǎn)，有的安規過(guò)不了，需求歸納各方面的要素來(lái)規劃變壓器。
規劃變壓器從哪里下手呢？一般來(lái)說(shuō)根據功率來(lái)選擇磁芯大小，有閱歷的可參看自己規劃過(guò)的，沒(méi)閱歷的只能依照AP算法去算，當然還要留有必定的余量，最終試驗去查驗規劃的好壞。
一般小功率反激引薦的用的比較多EE型，EF型，EI型，ER型，中大功率PQ的用的比較多，這兒面也有每個(gè)人的習氣以及不同公司的途徑差異，功率很大的，沒(méi)有合適的磁芯，可以二個(gè)變壓器原邊串副邊并的方法來(lái)做。
不同拓撲對變壓器的要求也不相同，比如反激，需求考慮的是需求作業(yè)在什么方法下，感量怎樣調度適中。特別是多路輸出必定要留心負載調整率滿(mǎn)意需求， 耦合的效果要好，比如選用并繞，均勻繞制，以及副邊匝數盡可能增多。MOS管耐壓抉擇匝比，怎樣選取合適的占空比，選取多大的Bmax（一般小于 0.35，當然0.3更好，即時(shí)短路也不會(huì )豐滿(mǎn)太嚴峻）有的還需求增加屏蔽來(lái)整改EMC，原副邊屏蔽一般加2層，外屏蔽1層就好。
大功率變壓器一般更多的是關(guān)注損耗，需求銅損和磁損抵達平衡，還要考慮到風(fēng)冷天然冷，電流密度多大合適，功率稍大（大于150W）的一般電流密度相對取小些(3.5-4.5)，功率小的(5.0-7.0)。
還要清楚電源過(guò)的什么安規，擋墻是不是滿(mǎn)意，層間膠帶是否設置合理也是不可以忽視的，一旦要做認證去改變壓器也是影響進(jìn)展的。
問(wèn)題11：我們真的需求到沉迷規劃東西，依托仿真的境地嗎？
電源的規劃東西首要用在以下幾個(gè)方面：
1.選擇磁芯及規劃變壓器；
2.環(huán)路仿真規劃；
3.主功率拓撲仿真；
4.仿照電路仿真；
5.熱仿真（針對大功率）；
6.核算東西（核算書(shū)）等。
關(guān)于新人來(lái)說(shuō)，我給的建議少用東西，多核算，自己掌握規劃的進(jìn)程，因為東西是人做的，不同人的規劃習氣差異，不能用一個(gè)固定的規劃方法來(lái)規劃不同的電源。
有些仿真可以與規劃相結合：比如環(huán)路規劃好后是很難直接滿(mǎn)意規劃需求的，仿真可以在試驗前很好驗證，但仿真也不是完全和試驗相同，至少不會(huì )差太遠。
熟練運用Mathcad和Saber也是必要的，只是許多我們需求弄清原理的層面，把東西只需求作為核算器來(lái)運用，更快速便當更高效來(lái)滿(mǎn)意我們規劃就好，想純依托東西來(lái)規劃電源，無(wú)疑是走入極大誤區。
問(wèn)題11：我們真的需求到沉迷規劃東西，依托仿真的境地嗎？
電源的規劃東西首要用在以下幾個(gè)方面：
1.選擇磁芯及規劃變壓器
2.環(huán)路仿真規劃
3.主功率拓撲仿真
4.仿照電路仿真
5.熱仿真（針對大功率）
6.核算東西（核算書(shū)）等
關(guān)于新人來(lái)說(shuō)，我給的建議少用東西，多核算，自己掌握規劃的進(jìn)程，因為東西是人做的，不同人的規劃習氣差異，不能用一個(gè)固定的規劃方法來(lái)規劃不同的電源。
有些仿真可以與規劃相結合：比如環(huán)路規劃好后是很難直接滿(mǎn)意規劃需求的，仿真可以在試驗前很好驗證，但仿真也不是完全和試驗相同，至少不會(huì )差太遠。
熟練運用Mathcad和Saber也是必要的，只是許多我們需求弄清原理的層面，把東西只需求作為核算器來(lái)運用，更快速便當更高效來(lái)滿(mǎn)意我們規劃就好，想純依托東西來(lái)規劃電源，無(wú)疑是走入極大誤區。
問(wèn)題12：評判一塊電源板LAYOUT好壞有哪些地方能言必有中發(fā)現？
什么樣的PCB是一塊好的PCB，至少要滿(mǎn)意以下一個(gè)方面：
1.電功用方面煩擾小，要害信號線(xiàn)及底線(xiàn)走的合理，各方面功用安穩（前提是電路無(wú)缺點(diǎn)）；
2.利于EMC，輻射低，環(huán)路走的合理；
3.滿(mǎn)意安規，安規距離滿(mǎn)意要求；
4.滿(mǎn)意工藝，量產(chǎn)可出產(chǎn)性，以及減小出產(chǎn)本錢(qián)；
5.美麗，布局規矩有序 (器件不雜亂無(wú)章)，走線(xiàn)美麗美麗，不七彎八繞的。
怎樣才干做到以上幾點(diǎn)，共享我的布板閱歷：
1.布局前，了解清楚電源的標準書(shū)，電源的標準，有無(wú)特別要求，以及要過(guò)的安規標準。結構輸入條件是不是準確，以及風(fēng)道確實(shí)認，輸入輸出端口確實(shí)認，以及主功率流向。工藝路途選取，根據器件的密度，以及有無(wú)特別器件，選擇相對應工藝路途。
2.布局中，留心合理的布局，保證四大環(huán)路盡可能小，提前預判后續走線(xiàn)是否好走。變壓器的擺放基本抉擇了整體的布局，必定要慎重，放到最佳方位。 EMI部分的布局流向明晰，與其它主功率部分有明晰的隔絕帶。削減受到主功率開(kāi)關(guān)器件的煩擾。各吸收回路的面積盡可能小，散熱器的長(cháng)度以及方位要合理，不擋風(fēng)道。
3.走線(xiàn)部分，輸入EMI電路的走線(xiàn)是否滿(mǎn)意安規，原副邊距離，輸入輸出對大地的距離都要滿(mǎn)意安規。走線(xiàn)的粗細是否滿(mǎn)意滿(mǎn)意的電流大小，要害信號（例如驅動(dòng)信號，采樣信號，地線(xiàn)是否合理），驅動(dòng)信號不要煩擾靈敏信號（高頻信號）；采樣信號是否采樣準確，是否會(huì )受到煩擾；地線(xiàn)是否拉得合理（有時(shí)需求單點(diǎn)接地，有時(shí)需求多點(diǎn)接地跟實(shí)踐需求有關(guān)），主功率地和信號地嚴格區分隔，原邊芯片地從采樣電阻取，不要從大電解�。ㄌ貏e是采樣電阻和大電解地距離遠時(shí)），VCC的地前級地回大電解，二級電容地接芯片，反響信號也單點(diǎn)接IC，地單點(diǎn)接IC。散熱器的地有必要接主功率地，不能接信號地等等許多的細節要求。
問(wèn)題13：電源的元器件你懂多少？MOS管結電容多大，對哪些有影響？RDS跟溫度是什么聯(lián)絡(luò )？肖特基反向恢復電流影響什么？電容的ESR會(huì )帶來(lái)哪些影響？
電源中的規劃的器件類(lèi)型許多，首要有半導體器件如：MOS管，三極管，IC，運放，二極管，光耦等；磁性器件：電感，變壓器，磁珠等；電容：Y電容，X電容，瓷片電容，電解電容，貼片電容等；每種器件都有其標準，極限參數。
常規的參數在我們選型很簡(jiǎn)單掌握，例如選取MOS管，耐壓參數肯定會(huì )考慮，額定電流也會(huì )考慮，導通電阻我們會(huì )考慮，但還有一些寄生參數以及一些隨溫 度改變特性的參數卻很少去留心，或許只需在發(fā)現問(wèn)題的時(shí)分才會(huì )去找。導通電阻Rds(on)隨溫度升高其阻值是變大的，規劃M(mǎn)OS管損耗時(shí)要考慮到其作業(yè)的環(huán)境溫度。結電容影響到我們的注冊損耗，也會(huì )影響到EMC。
肖特基二極管耐壓，額定電流一般很好留心，有些參數例如導通壓降在溫度升高時(shí)會(huì )減小，反向恢復時(shí)間短，不過(guò)漏電流大（特別是考慮到高溫時(shí)漏電流影響就更大了），寄生電感會(huì )引起關(guān)斷尖峰很高。
電容一個(gè)重要參數ESR，在核算紋波時(shí)一般會(huì )考慮，ESR一般與C的相關(guān)是很大的，不過(guò)不同廠(chǎng)家的質(zhì)量要素影響也是很巨大，必定要詳細分清楚。
一般預算公司可參看：ESR=10/（C的0.73次方），電容在高溫時(shí)壽數會(huì )縮短，低溫時(shí)容量會(huì )減小，漏電流也會(huì )增加等等；
當然器件在特別現象表現出來(lái)的特性差異是值得我們考慮的問(wèn)題，請我們多多思量，關(guān)于我們處理特別情況下的問(wèn)題十分有協(xié)助。
問(wèn)題14：你對磁性材料了解多少，磁環(huán)和磁芯有哪些差異?低磁環(huán)和高磁環(huán)用在什么情況？
磁性器件對開(kāi)關(guān)電源的重要性不言而喻，可以說(shuō)是電源的心臟部位。 磁性材料的品種也繁復，常用來(lái)做變壓器的一般是鐵氧體材料，首要是價(jià)格廉價(jià)，開(kāi)關(guān)頻率最大能做到1000K，夠一般情況下運用了。鐵氧體磁芯既可以做主變壓器也可以做電感，如PFC電感（一般鐵硅鋁質(zhì)料居多，性?xún)r(jià)比高），儲能電感也可以。當然在要求高的情況下，特別是大功率一般用磁環(huán)，首要是感量可以做大，不易豐滿(mǎn)，相對鐵氧體磁芯來(lái)說(shuō)，不過(guò)缺點(diǎn)是價(jià)格貴，特別是大電流，繞制工藝較困難。磁環(huán)也分高U值和低U值，首要也是磁環(huán)的材料不同照成，高U環(huán)磁環(huán)外觀(guān)是綠色，一般EMI電路的共模電感選用，感量會(huì )相對較大濾低頻，顏色偏灰的是低U環(huán)，感量很低，濾高頻。一般為了EMC都是分配運用效果一般都比較好！
問(wèn)題15：電源損耗是怎樣分布的？MOS管損耗？變壓器損耗?變壓器除了直流損耗，還有交流損耗怎樣算的？
電源損耗一般集中在以下一些方面：
1.MOS管的注冊損耗及導通損耗；
2.變壓器的銅損和鐵損；
3.副邊整流管的損耗；
4.橋式整流的損耗。
5.采樣電阻損耗；
6.吸收電路的損耗；
7.其它損耗：PFC電感損耗，LLC的諧振電感損耗，同步整流的MOS管損耗等。
針對這些損耗，恰當的減小可以提高功率。1.針對MOS管可選用開(kāi)關(guān)速度快的，導通電阻低的，電路上課選用軟開(kāi)關(guān)。2.針對變壓器：選擇合適大小的磁芯，磁芯太小損耗會(huì )大，很難做到銅損和鐵損平衡。特別是銅損不只有直流損耗還有交流損耗，交流損耗一般比直流損耗還大2倍，因為銅線(xiàn)在高頻下的交流阻抗比直流阻抗大的多，核算時(shí)必定要充分預算進(jìn)去。
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