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上世紀60年代，開(kāi)關(guān)電源的面世，使其逐漸替代了線(xiàn)性穩壓電源和SCR相控電源。40多年來(lái)，開(kāi)關(guān)電源技能有了飛迅展開(kāi)和改變，閱歷了功率半導體器材、高頻化和軟開(kāi)關(guān)技能、開(kāi)關(guān)電源體系的集成技能三個(gè)展開(kāi)階段。

功率半導體器材從雙極型器材(BPT、SCR、GTO)展開(kāi)為MOS型器材(功率MOSFET、 IGBT、IGCT等)，使電力電子體系有可能完成高頻化，并大幅度下降導通損耗，電路也更為簡(jiǎn)略。

自上世紀80年代開(kāi)端，高頻化和軟開(kāi)關(guān)技能的開(kāi)發(fā)研討，使功率改換器功能更好、分量更輕、尺度更小。高頻化和軟開(kāi)關(guān)技能是曩昔20年世界電力電子界研討的熱門(mén)之一。

上世紀90年代中期，集成電力電子體系和集成電力電子模塊(IPEM)技能開(kāi)端展開(kāi)，它是當今世界電力電子界亟待解決的新問(wèn)題之一。

關(guān)注點(diǎn)一：功率半導體器材功能
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1998年，Infineon公司推出冷MOS管，它選用“超級結”(Super-Junction)結構，故又稱(chēng)超結功率MOSFET。作業(yè)電壓600V～800V，通態(tài)電阻簡(jiǎn)直下降了一個(gè)數量級，仍堅持開(kāi)關(guān)速度快的特色，是一種有展開(kāi)前途的高頻功率半導體器材。

IGBT剛出現時(shí)，電壓、電流額定值只要600V、25A。很長(cháng)一段時(shí)間內，耐壓水平限于1200V～1700V，通過(guò)長(cháng)期的探究研討和改善，現在IGBT的電壓、電流額定值已別離到達3300V/1200A和4500V/1800A，高壓IGBT單片耐壓已到達6500V，一般IGBT的作業(yè)頻率上限為20kHz～40kHz，根據穿通(PT)型結構使用新技能制作的IGBT，可作業(yè)于150kHz(硬開(kāi)關(guān))和300kHz(軟開(kāi)關(guān))。

IGBT的技能進(jìn)展實(shí)際上是通態(tài)壓降，快速開(kāi)關(guān)和高耐壓能力三者的折中。跟著(zhù)工藝和結構方式的不同，IGBT在20年前史展開(kāi)進(jìn)程中，有以下幾種類(lèi)型：穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、軟穿通(SPT)型、溝漕型和電場(chǎng)截止(FS)型。

碳化硅SiC是功率半導體器材晶片的抱負資料，其長(cháng)處是：禁帶寬、作業(yè)溫度高(可達600℃)、熱穩定性好、通態(tài)電阻小、導熱功能好、漏電流極小、PN結耐壓高級，有利于制作出耐高溫的高頻大功率半導體器材。

能夠預見(jiàn)，碳化硅將是21世紀最可能成功使用的新式功率半導體器材資料。

關(guān)注點(diǎn)二：開(kāi)關(guān)電源功率密度

進(jìn)步開(kāi)關(guān)電源的功率密度，使之小型化、輕量化，是人們不斷努力尋求的方針。電源的高頻化是世界電力電子界研討的熱門(mén)之一。電源的小型化、減輕分量對便攜式電子設備(如移動(dòng)電話(huà)，數字相機等)尤為重要。使開(kāi)關(guān)電源小型化的詳細辦法有：

一是高頻化。為了完成電源高功率密度，有必要進(jìn)步PWM改換器的作業(yè)頻率、然后減小電路中儲能元件的體積分量。

二是使用壓電變壓器。使用壓電變壓器可使高頻功率改換器完成輕、小、薄和高功率密度。

壓電變壓器使用壓電陶瓷資料特有的“電壓-振蕩”改換和“振蕩-電壓”改換的性質(zhì)傳送能量，其等效電路好像一個(gè)串并聯(lián)諧振電路，是功率改換范疇的研討熱門(mén)之一。

三是選用新式電容器。為了減小電力電子設備的體積和分量，有必要設法改善電容器的功能，進(jìn)步能量密度，并研討開(kāi)發(fā)適合于電力電子及電源體系用的新式電容器，要求電容量大、等效串聯(lián)電阻ESR小、體積小等。

關(guān)注點(diǎn)三：高頻磁與同步整流技能

電源體系中使用很多磁元件，高頻磁元件的資料、結構和功能都不同于工頻磁元件，有許多問(wèn)題需求研討。對高頻磁元件所用磁性資料有如下要求：損耗小，散熱功能好，磁功能優(yōu)越。適用于兆赫級頻率的磁性資料為人們所關(guān)注，納米結晶軟磁資料也已開(kāi)發(fā)使用。

高頻化今后，為了進(jìn)步開(kāi)關(guān)電源的功率，有必要開(kāi)發(fā)和使用軟開(kāi)關(guān)技能。它是曩昔幾十年世界電源界的一個(gè)研討熱門(mén)。

關(guān)于低電壓、大電流輸出的軟開(kāi)關(guān)改換器，進(jìn)一步進(jìn)步其功率的辦法是設法下降開(kāi)關(guān)的通態(tài)損耗。例好像步整流SR技能，即以功率MOS管反接作為整流用開(kāi)關(guān)二極管，替代蕭特基二極管(SBD)，可下降管壓降，然后進(jìn)步電路功率。

關(guān)注點(diǎn)四：散布電源結構

散布電源體系適合于用作超高速集成電路組成的大型作業(yè)站(如圖像處理站)、大型數字電子交換體系等的電源，其長(cháng)處是：可完成DC/DC改換器組件模塊化；簡(jiǎn)單完成N+1功率冗余，進(jìn)步體系可*性；易于擴增負載容量；可下降48V母線(xiàn)上的電流和電壓降；簡(jiǎn)單做到熱散布均勻、便于散熱規劃；瞬態(tài)呼應好；可在線(xiàn)替換失效模塊等。

現在散布電源體系有兩種結構類(lèi)型，一是兩級結構，另一種是三級結構。

關(guān)注點(diǎn)五：PFC改換器

因為AC/DC改換電路的輸入端有整流元件和濾波電容，在正弦電壓輸入時(shí)，單相整流電源供電的電子設備，電網(wǎng)側(溝通輸入端)功率因數僅為0.6～0.65。選用PFC(功率因數校對)改換器，網(wǎng)側功率因數可進(jìn)步到0.95～0.99，輸入電流THD小于10%。既治理了電網(wǎng)的諧波污染，又進(jìn)步了電源的全體功率。這一技能稱(chēng)為有源功率因數校對APFC單相APFC國內外開(kāi)發(fā)較早，技能已較成熟；三相APFC的拓撲類(lèi)型和操控戰略盡管現已有很多種，但還有待持續研討展開(kāi)。

一般高功率因數AC/DC開(kāi)關(guān)電源，由兩級拓撲組成，關(guān)于小功率AC/DC開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō)，選用兩級拓撲結構整體功率低、本錢(qián)高。

如果對輸入端功率因數要求不特別高時(shí)，將PFC改換器和后級DC/DC改換器組合成一個(gè)拓撲，構成單級高功率因數AC/DC開(kāi)關(guān)電源，只用一個(gè)主開(kāi)關(guān)管，可使功率因數校對到0.8以上，并使輸出直流電壓可調，這種拓撲結構稱(chēng)為單管單級即S4PFC改換器。

關(guān)注點(diǎn)六：電壓調節器模塊VRM

電壓調節器模塊是一類(lèi)低電壓、大電流輸出DC-DC改換器模塊，向微處理器供給電源。

現在數據處理體系的速度和功率日益進(jìn)步，為下降微處理器IC的電場(chǎng)強度和功耗，有必要下降邏輯電壓，新一代微處理器的邏輯電壓已下降至1V，而電流則高達50A～100A，所以對VRM的要求是：輸出電壓很低、輸出電流大、電流改變率高、快速呼應等。

關(guān)注點(diǎn)七：全數字化操控

電源的操控現已由模仿操控，模數混合操控，進(jìn)入到全數字操控階段。全數字操控是一個(gè)新的展開(kāi)趨勢，現已在許多功率改換設備中得到使用。

可是曩昔數字操控在DC/DC改換器中用得較少。近兩年來(lái)，電源的高功能全數字操控芯片現已開(kāi)發(fā)，費用也已降到比較合理的水平，歐美已有多家公司開(kāi)發(fā)并制作出開(kāi)關(guān)改換器的數字操控芯片及軟件。

全數字操控的長(cháng)處是：數字信號與混合模數信號相比能夠標定更小的量，芯片價(jià)格也更低價(jià)；對電流檢測差錯能夠進(jìn)行準確的數字校對，電壓檢測也更準確；能夠完成快速，靈敏的操控規劃。

關(guān)注點(diǎn)八：電磁兼容性

高頻開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容EMC問(wèn)題有其特殊性。功率半導體開(kāi)關(guān)管在開(kāi)關(guān)過(guò)程中發(fā)生的di/dt和dv/dt，引起強壯的傳導電磁攪擾和諧波攪擾。有些狀況還會(huì )引起強電磁場(chǎng)(通常是近場(chǎng))輻射。不光嚴重污染周?chē)�電磁環(huán)境，對鄰近的電氣設備形成電磁攪擾，還可能危及鄰近操作人員的安全。一起，電力電子電路(如開(kāi)關(guān)改換器)內部的操控電路也有必要能接受開(kāi)關(guān)動(dòng)作發(fā)生的EMI及使用現場(chǎng)電磁噪聲的攪擾。上述特殊性，再加上EMI丈量上的詳細困難，在電力電子的電磁兼容范疇里，存在著(zhù)許多交*科學(xué)的前沿課題有待人們研討。國內外許多大學(xué)均展開(kāi)了電力電子電路的電磁攪擾和電磁兼容性問(wèn)題的研討，并取得了不少可喜成果。近幾年研討成果標明，開(kāi)關(guān)改換器中的電磁噪音源，首要來(lái)自主開(kāi)關(guān)器材的開(kāi)關(guān)效果所發(fā)生的電壓、電流改變。改變速度越快，電磁噪音越大。

關(guān)注點(diǎn)九：規劃和測驗技能

建模、仿真和CAD是一種新的規劃東西。為仿真電源體系，首先要樹(shù)立仿真模型，包含電力電子器材、改換器電路、數字和模仿操控電路以及磁元件和磁場(chǎng)散布模型等，還要考慮開(kāi)關(guān)管的熱模型、可*性模型和EMC模型。各種模型差別很大，建模的展開(kāi)方向是：數字-模仿混合建模、混合層次建模以及將各種模型組成一個(gè)一致的多層次模型等。

電源體系的CAD，包含主電路和操控電路規劃、器材挑選、參數最優(yōu)化、磁規劃、熱規劃、EMI規劃和印制電路板規劃、可*性預估、計算機輔佐歸納和優(yōu)化規劃等。用根據仿真的專(zhuān)家體系進(jìn)行電源體系的CAD，可使所規劃的體系功能最優(yōu)，減少規劃制作費用，并能做可制作性分析，是21世紀仿真和CAD技能的展開(kāi)方向之一。此外，電源體系的熱測驗、EMI測驗、可*性測驗等技能的開(kāi)發(fā)、研討與使用也是應大力展開(kāi)的。

關(guān)注點(diǎn)十：體系集成技能

電源設備的制作特色是：非規范件多、勞動(dòng)強度大、規劃周期長(cháng)、本錢(qián)高、可*性低一級，而用戶(hù)要求制作廠(chǎng)出產(chǎn)的電源產(chǎn)品愈加實(shí)用、可*性更高、更輕小、本錢(qián)更低。這些狀況使電源制作廠(chǎng)家接受巨大壓力，迫切需求展開(kāi)集成電源模塊的研討開(kāi)發(fā)，使電源產(chǎn)品的規范化、模塊化、可制作性、規劃出產(chǎn)、下降本錢(qián)等方針得以完成。

實(shí)際上，在電源集成技能的展開(kāi)進(jìn)程中，現已閱歷了電力半導體器材模塊化，功率與操控電路的集成化，集成無(wú)源元件(包含磁集成技能)等展開(kāi)階段。近年來(lái)的展開(kāi)方向是將小功率電源體系集成在一個(gè)芯片上，能夠使電源產(chǎn)品更為緊湊，體積更小，也減小了引線(xiàn)長(cháng)度，然后減小了寄生參數。在此基礎上，能夠完成一體化，一切元器材連同操控保護集成在一個(gè)模塊中。

上世紀90年代，跟著(zhù)大規劃散布電源體系的展開(kāi)，一體化的規劃觀(guān)念被推行到更大容量、更高電壓的電源體系集成，進(jìn)步了集成度，出現了集成電力電子模塊(IPEM)。IPEM將功率器材與電路、操控以及檢測、執行等元件集成封裝，得到規范的，可制作的模塊，既可用于規范規劃，也可用于專(zhuān)用、特殊規劃。長(cháng)處是可快速高效為用戶(hù)供給產(chǎn)品，明顯下降本錢(qián)，進(jìn)步可*性。

總歸，電源體系集成是當今世界電力電子界亟待解決的新問(wèn)題之一。