很多未運用過(guò)開(kāi)關(guān)電源規劃的工程師會(huì )對它發(fā)生必定的畏懼心思,比方憂(yōu)慮開(kāi)關(guān)電源的攪擾疑問(wèn),PCB layout疑問(wèn),元器件的參數和類(lèi)型挑選疑問(wèn)等。其實(shí)只需了解了,運用開(kāi)關(guān)電源規劃仍是十分便利的。
一個(gè)開(kāi)關(guān)電源通常包括有開(kāi)關(guān)電源操控器和輸出兩有些,有些操控器會(huì )將MOSFET集成到芯片中去,這么運用就更簡(jiǎn)略了,也簡(jiǎn)化了PCB規劃,可是規劃的靈活性就減少了一些。
開(kāi)關(guān)操控器基本上即是一個(gè)閉環(huán)的反應操控系統,所以通常都會(huì )有一個(gè)反應輸出電壓的采樣電路以及反應環(huán)的操控電路。因而這有些的規劃在于保證精確的采樣電路,還有來(lái)操控反應深度,由于假如反應環(huán)呼應過(guò)慢的話(huà),對瞬態(tài)呼應才能是會(huì )有很大影響。
輸出有些規劃包括了輸出電容,輸出電感以及MOSFET等等,這些器件的挑選基本上即是要滿(mǎn)意性能和本錢(qián)的平衡,比方高的開(kāi)關(guān)頻率就能夠運用小的電感值(意味著(zhù)小的封裝和便宜的本錢(qián)),可是高的開(kāi)關(guān)頻率會(huì )添加攪擾和對MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗,然后功率下降。低的開(kāi)關(guān)頻率帶來(lái)的成果則是相反的。
關(guān)于輸出電容的ESR和MOSFET的Rds_on參數挑選也是十分要害的,小的ESR能夠減小輸出紋波,可是電容本錢(qián)會(huì )添加,好的電容會(huì )貴嘛。開(kāi)關(guān)電源操控器驅動(dòng)才能也要注意,過(guò)多的MOSFET是不能被杰出驅動(dòng)的。