電路設計要求
(1)TOPSwitch-II的反饋電路中需配光電耦合器與輸出電路隔離。設計精密開(kāi)關(guān)電源時(shí)，還應增加一片TL431型可調式精密關(guān)聯(lián)穩壓器，由它構成外部誤差放大器，來(lái)代替取樣電路中的穩壓管。精密開(kāi)關(guān)電源的電壓調整率Sv、電流調整率Sl均可達±0.2%左右，接近于線(xiàn)性集成穩壓電源的指標。
(2)應選用電流傳輸比（CTR）能線(xiàn)性變化的光電耦合器，如PC817A，NEC2501、6N137等型號，不推薦采用4N25、4N35等4N××型普通光耦。后者的線(xiàn)性度差，傳輸模擬信號時(shí)會(huì )造成失真，影響開(kāi)關(guān)電源的穩壓性能。
(3)高頻變壓器的初級必須設置保護電路，用以吸收漏感引起的尖峰電壓，確保MOSFET不被損壞。這種保護電路應并聯(lián)在初級上，具體有4種設計方案：
①由瞬變電壓抑制二極管（TVS）和超快恢復二極管（SRD）組成鉗位電路；
②由TVS與硅整流管（VD）構成的鉗位電路；
③由阻容元件與SRD構成的吸收電路；
④由阻容件與VD構成的吸收電路。上述方案中以①的效果最佳，能充分發(fā)揮TVS響應速度極快、可承受高能量瞬態(tài)脈沖之優(yōu)點(diǎn)。方案②次之。
(4)使用芯片時(shí)需加合適的散熱器。對于TO-220封裝，可直接裝在小散板上。對于DIP-8和SMD-8封裝的可將4個(gè)源極焊在面積為2.3的印制板敷銅箔上代替散熱片。
(5) 為抑制從電網(wǎng)引入的干擾，也防止開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的干擾向外部傳輸，需在電源進(jìn)線(xiàn)端增加一級電磁干擾濾波器（EMI Filter）亦稱(chēng)電源噪聲濾波器（PNF）。
(6)使用此類(lèi)芯片時(shí)，源極引線(xiàn)要盡量短。為使空載或輕載時(shí)輸出電壓穩定，應在穩壓電源輸出端接一只幾百歐的電阻作為最小負載，亦可并聯(lián)一只穩壓管。
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